Nome Completo / Full Name
Maria de Fátima Guimarães Cerqueira

Gabinete / Office
B-2171, Departamento de Física, Campus de Gualtar

Telefone / Phone
253 604 332 / 604 060

E-mail
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Categoria / Category
Professor Auxiliar / Assistant professor

Indicador / Researcher indicator
Orcid: 0000-0002-3505-6982


Página pessoal / personal page
http://inl.int/working_groups/20

Palavras chave / Keywords
Fisica dos Semicondutores; Nanotecnologia; Raman scattering
Semiconductors Physics; Nanotechnology; Raman scattering


Currículo Resumido / Short resume

Produção e caracterização de filmes finos de nc-Si: Er com o objectivo de obter emissão à temperatura ambiente na região das comunicações ópticas (1.5m).
Produção e caracterização de filmes finos de ZnO intrinsecos e dopados com o objectivo de produzir materiais condutores e transparentes para utilização em diversos dispositivos, moneadamente como eléctrodos transparentes e quando dopados com Mn para aplicações em spintrónica.
Como investigador visitante no INL:
Produção e caracterização de dispositivos de barreira de protecção à humidade e ao oxigénio baseados em filme fino de multicamada de nitreto de silício de elevado desempenho.
Membro da equipa dedicada ao crescimento CVD, caracterização e fabrico de dispositivos de grafeno.

Técnicas de caracterização associadas aos projectos: Espectroscopia Raman (INL e CFUM); Efeito Hall (CFUM); Efeito Faraday (CFUM); Fotoluminescência (CFUM e INL) e Fotocondutividade (CFUM).
Production and characterization of thin films of nc-Si: Er with the aim of obtaining emission at 1.5 mm at room temperature, for optical communications applications.
Production and characterization of thin films of intrinsic and doped ZnO with the aim of producing conductive and transparent materials for use in various devices, such as transparent electrodes and when doped with Mn for spintronics applications.
As a researcher visitor at INL:
Production and characterization of protective barrier devices to moisture and oxygen, based on silicon nitride multilayer thin with high performance.
Member of the team dedicated to CVD growth, characterization and fabrication of graphene based devices.

Characterization techniques associated with the projects: Raman spectroscopy (CFUM and INL); Hall effect (CFUM); Faraday effect (CFUM); photoluminescence (CFUM and INL) and Photoconductivity (CFUM).